[특허]Reticle with structurally identical inverted phase-shifted features

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G03F-009/00
출원번호	US-0114953 (1993-08-31)
발명자 / 주소	Dao Giang T. (Fremont CA) De Qian Qi (Santa Clara CA) Tam Nelson N. (Foster City CA) Gaw Eng T. (San Jose CA) Fujimoto Harry H. (Sunnyvale CA)
출원인 / 주소	Intel Corporation (Santa Clara CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 0

초록 ▼

A phase-shifted reticle with patterns proximate each other having inverted phases for the features and phase-shifting elements, and method of fabricating the reticle. Each of the patterns and inverted patterns are structurally identical with regard to the direction of phase shift, so that any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns. In a preferred embodiment, the structurally identical inverted reticle is used to form an array of closely spaced contact or via openings. For a first pattern on the reticle, the feature will be the 0°phase and the phase-shifting rim surrounding that feature will be the 180°phase. All patterns surrounding the first pattern have phase-shifting rims of the 0°phase and features of the 180°phase. In this way, each pattern can form below conventional resolution features in the resist. Additionally, there will not be exposure of the regions between the closely spaced features since radiation transmitted through the closely spaced phase-shifting rims of the two patterns is 180°out of phase. Also, since each pattern is structurally identical, any focal shift due to phase error is in the same direction for all patterns, so that an acceptable depth of field is maintained for a substrate exposed with the reticle.

대표청구항

The method as described in claim 1 wherein said method is performed using a reticle, wherein said reticle is used on a lithographic printer having a numerical aperture (NA), an image reduction factor (IRF) and an exposing radiation wavelength (l0.55 IRF * 1/NA of said third region.

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