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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0009747 (1993-01-27) |
우선권정보 | JP-0017176 (1992-01-31); JP-0017177 (1992-01-31); JP-0150682 (1992-06-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 103 인용 특허 : 0 |
A projection is formed in a substrate by anisotropic etching and a transistor is contained in the projection. The central portion of the projection covered with a gate electrode is formed as a channel region, and drain and source regions are formed on both sides of the projection by oblique ion impl
A method of making a semiconductor device which includes at least one projection formed on a substrate having a conductivity type, the at least one projection including at least one vertical MOS transistor having a channel region, a source region and a drain region, the method comprising the steps o
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