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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0161605 (1993-12-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 0 |
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A process for fabricating high density boron sputtering targets, comprising: providing a boron monolith; and reinforcing the boron monolith by providing aluminum metallization on one side of the boron monolith. A process for fabricating high density boron sputtering targets comprising: providing a b
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