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[미국특허] Method for deposition of a refractory metal nitride and method for formation of a conductive film containing a refractor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/00
출원번호 US-0072086 (1993-06-07)
우선권정보 JP-0147656 (1992-06-08)
발명자 / 주소
  • Suzuki Toshiya (Kawasaki JPX) Ohba Takayuki (Kawasaki JPX) Jinnouchi Shimpei (Tokyo JPX) Murakami Seishi (Tokyo JPX)
출원인 / 주소
  • Fujitsu Limited (Kawasaki JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 36  인용 특허 : 0

초록 ▼

A refractory metal nitride is deposited at a temperature of 600°C. according to a chemical vapor phase deposition method by using a source gas containing a refractory metallic element and a reduction gas containing one of an alkyl amino compound, alkyl azide compound, hydrazine and a hydrazine alkyl

대표청구항 ▼

A method for deposition of a refractory metal nitride, wherein a refractory metal nitride is deposited in a vapor phase by using a source gas containing a refractory metal and a reducing and nitrogenizing gas containing at least one of an alkyl amino compound, an alkyl azide compound, hydrazine and

이 특허를 인용한 특허 (36) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Lee Chi-Young,TWX, Chemical vapor deposition for titanium metal thin film.
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  2. Mak Alfred ; Chen Ling ; Smith David C. ; Chang Mei ; Ghanayem Steve, Deposition of tungsten nitride by plasma enhanced chemical vapor deposition.
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  3. Raina, Kanwal K.; Derraa, Ammar, Electron emission devices and field emission display devices having buffer layer of microcrystalline silicon.
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  4. Okamoto, Shigeru, Embedded electroconductive layer structure.
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  5. Koji Urabe JP, Fabrication process of semiconductor device with titanium film.
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  6. Derraa,Ammar, Field emission device having insulated column lines and method manufacture.
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  7. Derraa,Ammar, Field emission device having insulated column lines and method of manufacture.
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  8. Li, Weimin; Peters, David W.; Battle, Scott L.; Hunks, William, Fluorine free tungsten ALD/CVD process.
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  9. Ronald A. Weimer ; Yongjun Jeff Hu ; Pai Hung Pan ; Deepa Ratakonda ; James Beck ; Randhir P. S. Thakur, Forming a conductive structure in a semiconductor device.
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  10. Weimer, Ronald A.; Hu, Yongjun Jeff; Pan, Pai Hung; Ratakonda, Deepa; Beck, James; Thakur, Randhir P. S., Forming a conductive structure in a semiconductor device.
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  11. Rajarao Jammy ; Cheryl G. Faltermeier ; Uwe Schroeder ; Kwong Hon Wong, Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures.
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  12. Geha, Sam G., Hot metallization process.
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  13. Takayuki Ohba JP, Method and apparatus for wiring, wire, and integrated circuit.
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  14. Derderian, Garo J.; Basceri, Cem; Westmoreland, Donald L., Method and system for binding halide-based contaminants.
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  15. Derderian, Garo J.; Basceri, Cem; Westmoreland, Donald L., Method and system for binding halide-based contaminants.
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  16. Derderian, Garo J.; Basceri, Cem; Westmoreland, Donald L., Method and system for binding halide-based contaminants.
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  17. Derderian,Garo J.; Basceri,Cem; Westmoreland,Donald L., Method for binding halide-based contaminants during formation of a titanium-based film.
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  18. Huang Kuo-Tai,TWX ; Hsieh Wen-Yi,TWX ; Yew Tri-Rung,TWX, Method for forming charge storage structure.
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  19. Yun-sook Chae KR; Sang-bom Kang KR; Gil-heyun Choi KR; In-sang Jeon KR, Method for forming metal layer of semiconductor device using metal halide gas.
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  20. Koichi Ohto JP, Method for forming metal nitride film.
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  21. Hiroji Kawai JP; Tsunenori Asatsuma JP; Fumihiko Nakamura JP, Method for growing a nitride compound semiconductor.
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  22. Kawai Hiroji,JPX ; Asatsuma Tsunenori,JPX ; Nakamura Fumihiko,JPX, Method for growing a nitride compound semiconductor.
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  23. Kawai, Hiroji; Asatsuma, Tsunenori; Nakamura, Fumihiko, Method for growing a nitride compound semiconductor.
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  24. Nishikawa Nobuyuki,JPX ; Suzuki Toshiya,JPX, Method for production of semiconductor device.
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  25. Sato Junichi,JPX, Method for the formation of thin films for use as a semiconductor device.
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  26. Miyano,Junichi; Toshikawa,Kiyohiko; Motoyama,Yoshikazu, Method of fabricating a protective film by use of vacuum ultraviolet rays.
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  27. Geha Sam G. ; Shan Ende, Method of forming a metal layer on a substrate, including formation of wetting layer at a high temperature.
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  28. Kanwal K. Raina ; Ammar Derraa, Method of forming resistor with adhesion layer for electron emission device.
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  29. Iwata Hiroshi,JPX, Method of forming silicide film on silicon with oxygen concentration below 10.sup.18 /cm.sup.3.
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  30. Trandal, David S.; Brahm, David J., Methods and systems for processing telephonic communications and product data.
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  31. Lee Jang-eun,KRX ; Chung Ju-hyuck,KRX ; Seo Tae-wook,KRX, Methods of forming titanium nitride composite layers using composite gases having increasing TiCl4 to NH3 ratios.
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  32. Derraa, Ammar, Multilayer conductor structure for use in field emission display.
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  33. Kaloyeros, Alain E.; Arkles, Barry C., Process for low-temperature metal-organic chemical vapor deposition of tungsten nitride and tungsten nitride films.
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  34. Kitamura, Masayuki; Sakata, Atsuko, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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  35. Iwata Hiroshi,JPX, Semiconductor device and method for fabricating the same.
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  36. Park Bo-Hyun,KRX, Titanium silicide interconnect method.
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