[특허]Multijunction photovoltaic device and method of manufacture

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-031/05 H01L-031/06
출원번호	US-0077769 (1993-06-18)
발명자 / 주소	Arya Rejeewa R. (Jamison PA) Catalano Anthony W. (Boulder CO) Bennett Murray (Longhorne PA)
출원인 / 주소	Amoco Corporation (Naperville IL 02)
인용정보	피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 0

초록 ▼

A multijunction photovoltaic device includes first, second, and third amorphous silicon p-i-n photovoltaic cells in a stacked arrangement. The intrinsic layers of the second and third cells are formed of a-SiGe alloys with differing ratios of Ge such that the bandgap of the intrinsic layers respectively decrease from the first uppermost cell to the third lowermost cell. An interface layer, composed of a doped silicon compound, is disposed between the two cells and has a lower bandgap than the respective n- and p-type adjacent layers of the first and second cells. The interface layer forms an ohmic contact with the one of the adjacent cell layers of the same conductivity type, and a tunnel junction with the other of the adjacent cell layers.

대표청구항 ▼

A multijunction photovoltaic device, comprising: a transparent substrate; a transparent electrode formed on said transparent substrate; a first photovoltaic cell formed on said transparent electrode and comprising; a p-type layer formed adjacent said transparent electrode, an intrinsic layer of an amorphous semiconductor compound including silicon formed on said p-type layer, and an n-type layer formed on said intrinsic layer; an interface layer of a semiconductor compound including silicon formed on said n-type layer of said first photovoltaic cell, said interface layer having a bandgap less than the bandgap of said n-type layer of said first photovoltaic cell; a second photovoltaic cell formed on said interface layer and comprising, a p-type layer formed on said interface layer and having a bandgap greater than the bandgap of said interface layer, an intrinsic layer formed on said p-type layer, having a thickness less than 3000 Å, and being made of an amorphous semiconductor compound including silicon doped with germanium and having a bandgap less than the bandgap of said intrinsic layer of said first photovoltaic cell, and an n-type layer formed on said intrinsic layer; a third photovoltaic cell formed on said second photovoltaic cell and comprising, a p-type layer, an intrinsic layer of an amorphous semiconductor compound including silicon doped with germanium and having a bandgap less than the bandgap of said intrinsic layer of said second photovoltaic cell, formed on said p-type layer, and an n-type layer formed on said intrinsic layer; and a reflective electrode layer formed on said n-type layer of said third photovoltaic cell.

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