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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0190584 (1994-02-02) |
우선권정보 | JP-0413874 (1990-12-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0 |
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A process for producing a solar cell, said process comprises the steps of: forming a non-single crystal semiconductor layer, incorporating an impurity into said non-single crystal semiconductor layer to supersaturate said non-single crystal semiconductor layer with said impurity, forming an insulati
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