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특허 상세정보

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Method for optimizing thermal budgets in fabricating semiconductors

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/26    H01L-021/268   
미국특허분류(USC) 437/173 ; 437/982 ; 148/DIG ; 133
출원번호 US-0102908 (1993-08-06)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 22  인용 특허 : 0
초록
▼

A method for fabricating semiconductors is provided in which a conformal layer is formed superjacent at least two conductive layers. The conformal layer has a thickness of at least 50 Å. A barrier layer is then formed superjacent the conformal layer to prevent subsequent layers from diffusing into active regions. The barrier layer is preferably Si3N4. A glass layer is then formed superjacent the barrier layer. The glass layer has a thickness of at least 1 kÅ. The glass layer is heated to a temperature of at least 800°C. for at least 15 minutes while intr...

대표
청구항

A method for fabricating a semiconductor, according to claim 1, wherein said glass layer comprises at least one of SiO2, borophosphosilicate glass, phosphosilicate glass, and borosilicate glass.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 22

  1. Durcan, D. Mark; Doan, Trung T.; Lee, Roger R.; Gonzalez, Fernando; Ping, Er Xuan. Container capacitor structure and method of formation thereof. USP2009127625795.
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  3. Sandhu, Gurtej S.; Durcan, D. Mark. Devices with nanocrystals and methods of formation. USP2014128921914.
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  6. Brigham Lawrence N. (Beaverton OR) Lee Yung-Huei (Sunnyvale CA) Chau Robert S. (Beaverton OR) Cotner Raymond E. (Beaverton OR). High tensile nitride layer. USP1997055633202.
  7. Brigham Lawrence N. ; Lee Yung-Huei ; Chau Robert S. ; Cotner Raymond E.. High tensile nitride layer. USP2000046046494.
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  14. Ravi Iyer ; Randhir P. S. Thakur ; Howard E. Rhodes. Method and apparatus for reducing fixed charge in semiconductor device layers. USP2002086441466.
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  17. Thakur Randhir P. S.. Method to cure mobile ion contamination in semiconductor processing. USP2000096114222.
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  20. Ishikawa Hiraku,JPX. Semiconductor device using a thermal treatment of the device in a pressurized steam ambient as a planarization technique. USP2001116319847.
  21. Don Carl Powell. System and method for selectively increasing surface temperature of an object. USP2002096451714.
  22. Powell,Don Carl. System and method for selectively increasing surface temperature of an object. USP2007077247584.

IPC 상위 출원인