[특허]Method for optimizing thermal budgets in fabricating semiconductors

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/26 H01L-021/268
출원번호	US-0102908 (1993-08-06)
발명자 / 주소	Thakur Randir P. S. (Boise ID) Gonzalez Fernando (Boise ID)
출원인 / 주소	Micron Semiconductor, Inc. (Boise ID 02)
인용정보	피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for fabricating semiconductors is provided in which a conformal layer is formed superjacent at least two conductive layers. The conformal layer has a thickness of at least 50 Å. A barrier layer is then formed superjacent the conformal layer to prevent subsequent layers from diffusing into active regions. The barrier layer is preferably Si3N4. A glass layer is then formed superjacent the barrier layer. The glass layer has a thickness of at least 1 kÅ. The glass layer is heated to a temperature of at least 800°C. for at least 15 minutes while introducing H2 and O2 at a high temperature to cause vaporization, thereby causing the glass layer to reflow. Next, the glass layer is exposed to a gas and radiant energy for 5 to 60 seconds, thereby making said glass layer planar. The radiant energy generates a temperature within the range of 700°C. to 1250°C. Further, the gas is at least one of N2, NH3, O2, N2O, Ar, Ar-H2, H2, GeH4, and a fluorine based gas.

대표청구항

A method for fabricating a semiconductor, according to claim 1, wherein said glass layer comprises at least one of SiO2, borophosphosilicate glass, phosphosilicate glass, and borosilicate glass.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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