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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0078585 (1993-06-16) |
우선권정보 | FR-0007354 (1992-06-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
Process for producing a transistor, particularly a heterojunction bipolar transistor, of the type comprising the known stages consisting in producing layers forming the collector, base and emitter, as well as collector, base and emitter ohmic contacts. The emitter producing stage consists in deposit
Transistor comprising layers forming collector, base and emitter, and collector, base and emitter ohmic contacts, wherein: the emitter is made up of two layers of semiconductor material of a first type of conductivity superposed on the base layer: a first thin layer made up of a first material havin
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