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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0147083 (1993-11-03) |
우선권정보 | JP-0138494 (1990-05-30); JP-0155217 (1990-06-15); JP-0155218 (1990-06-15); JP-0157528 (1990-06-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 97 인용 특허 : 0 |
A semiconductor acceleration sensor is formed by a cantilever having a conductive movable electrode of predetermined mass at one end, at least one pair of fixed conductive electrodes which are stationary with respect to the movable electrode located on opposing sides of the movable electrode, and ga
A semiconductor acceleration sensor comprising a cantilever having a conductive, movable electrode of predetermined mass at one end thereof, said cantilever being made of a material of silicon type, at least one fixed conductive electrode which is stationary with respect to said movable electrode an
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