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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0059222 (1993-05-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 115 인용 특허 : 0 |
A method for micromachining the surface of a silicon substrate which encompasses a minimal number of processing steps. The method involves a preferential etching process in which a chlorine plasma etch is capable of laterally etching an N+buried layer beneath the surface of the bulk substrate. Such
A method for micromachining a surface of a silicon substrate so as to form therein a micromachined element of a semiconductor device, the method comprising the steps of: forming an N+region in the surface of the substrate; growing an epitaxial silicon layer over the surface of the substrate so as to
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