최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0048038 (1993-04-14) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0 |
An image sensor element having at least one charge storage well 70 and 80, charge transfer structures for transferring charge from one charge storage well 70 to another charge storage well 80, and a charge sensor for sensing charge levels in a charge storage well 70 without removing the charge from
An active transistor pixel charge coupled device comprising: a first semiconductor layer of a first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type in the first semiconductor layer; virtual phase regions of the first conductivity type formed in the second semiconductor
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.