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Sublimation growth of single crystal SiC 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C30B-023/00
  • H01L-021/20
출원번호 US-0213055 (1994-03-15)
우선권정보 JP-0055687 (1993-03-16)
발명자 / 주소
  • Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX)
출원인 / 주소
  • Nippon Steel Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 0

초록 ▼

A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, comprises the steps of setting a SiC source material at an initial temperature, growing the first SiC single crystal on the seed crystal including the second SiC single crystal at a temperature lo

대표청구항 ▼

A method of growing a first SiC single crystal on a seed crystal including a second SiC single crystal, said method comprising the steps of: setting a SiC source material at an initial temperature; growing said first SiC single crystal on said seed crystal including said second SiC single crystal at

이 특허를 인용한 특허 (25)

  1. Glass Robert C. (Chapel Hill NC) Gaida Walter E. (East Pittsburgh PA) Ronallo Ronald R. (Pittsburgh PA) Hobgood Hudson McDonald (Murrysville PA), Apparatus for growing silicon carbide crystals.
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  2. Chen, Zhizhan; Shi, Erwei; Yan, Chengfeng; Xiao, Bing, Apparatus with two-chamber structure for growing silicon carbide crystals.
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  3. Snyder, David W.; Everson, William J., Axial gradient transport apparatus and process.
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  4. Kordina Olle,SEX ; Hallin Christer,SEX ; Janzen Erik,SEX, Device and a method for epitaxially growing objects by CVD.
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  5. Kordina Olle,SEX ; Hermansson Willy,SEX ; Tuominen Marko,SEX, Device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor.
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  6. Wu, Ping; Zwieback, Ilya; Gupta, Avinesh K.; Semenas, Edward, Fabrication of SiC substrates with low warp and bow.
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  7. Snyder, David W.; Everson, William J., Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals.
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  8. Kazukuni Hara JP; Kouki Futatsuyama JP; Shoichi Onda JP; Fusao Hirose JP; Emi Oguri JP; Naohiro Sugiyama JP; Atsuto Okamoto JP, Method and apparatus for fabricating high quality single crystal.
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  9. Harald Kuhn DE; Rene Stein DE; Johannes Volkl DE, Method for growing SiC single crystals.
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  10. Kuhn, Harald; Stein, Rene; Voelkl, Johannes, Method for the sublimation growth of an SiC single crystal, involving heating under growth pressure.
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  11. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Method of producing high quality silicon carbide crystal in a seeded growth system.
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  12. Golan, Gady, Method of producing silicon carbide.
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  13. Gady Golan IL, Method of producing silicon carbide: heating and lighting elements.
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  14. Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX, Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method.
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  15. Kito Yasuo,JPX ; Kotanshi Youichi,JPX ; Onda Shoichi,JPX ; Hanazawa Tatuyuki,JPX ; Kitaoka Eiji,JPX, Method of producing single-crystal silicon carbide.
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  16. Wang, Shaoping; Kopec, Aneta; Ware, Rodd Mitchell; Holmes, Sonia, Method of silicon carbide monocrystalline boule growth.
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  17. So Jason Siucheong, Method of stress testing integrated circuit having memory and integrated circuit having stress tester for memory thereof.
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  18. Mueller, Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  19. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  20. Mueller,Stephan, Methods of fabricating silicon carbide crystals.
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  21. Straubinger, Thomas; Vogel, Michael; Wohlfart, Andreas, Monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course.
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  22. Kitoh Yasuo,JPX ; Suzuki Masahiko,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX, Process for growing single crystal.
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  23. Leonard, Robert Tyler; Powell, Adrian; Tsvetkov, Valeri F., Producing high quality bulk silicon carbide single crystal by managing thermal stresses at a seed interface.
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  24. Straubinger, Thomas; Vogel, Michael; Wohlfart, Andreas, Production method for an SiC volume monocrystal with a non-homogeneous lattice plane course and a monocrystalline SiC substrate with a non-homogeneous lattice plane course.
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  25. Hunter Charles Eric ; Verbiest Dirk, Silicon carbide gemstones.
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