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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0040212 (1993-04-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0 |
A circuit for improving the short circuit withstand capability of an IGBT. The circuit utilizes a MOSFET which, when turned on, reduces the voltage applied to the gate of the IGBT during a short circuit condition, thereby lowering the short circuit current passing through the IGBT. A Zener diode is
A fault current limiting circuit, comprising: (a) an IGBT to be protected, the IGBT having a gate, a collector and an emitter; (b) a MOS transistor for reducing the voltage applied to the gate of the IGBT during a short circuit condition, thereby lowering the short circuit current passing through th
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