[특허]IGBT fault current limiting circuit

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H02H-007/10
출원번호	US-0040212 (1993-04-01)
발명자 / 주소	Chokhawala Rahul S. (Redondo Beach CA) Catt Jamie P. (Redondo Beach CA)
출원인 / 주소	International Rectifier Corporation (El Segundo CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0

초록 ▼

A circuit for improving the short circuit withstand capability of an IGBT. The circuit utilizes a MOSFET which, when turned on, reduces the voltage applied to the gate of the IGBT during a short circuit condition, thereby lowering the short circuit current passing through the IGBT. A Zener diode is coupled between the MOSFET and the gate of the IGBT to clamp the voltage of the gate of the IGBT to a predetermined voltage when the MOS transistor is turned on during a short circuit condition. The circuit turns the MOSFET on when the voltage at the collector of the IGBT rises during a short circuit condition. If tile fault is of a short, transient type, the circuit advantageously restores the normal gate voltage. The circuit draws a small current from the gate driver and requires no separate DC source, making it feasible to insert the circuit in IGBT modules or connect the circuit as an interface between the gate driver and the gate.

대표청구항 ▼

A fault current limiting circuit, comprising: (a) an IGBT to be protected, the IGBT having a gate, a collector and an emitter; (b) a MOS transistor for reducing the voltage applied to the gate of the IGBT during a short circuit condition, thereby lowering the short circuit current passing through the IGBT, the MOS transistor comprising a MOSFET having a gate, a drain and a source; and (c) means for applying an increased voltage to the gate of the MOSFET to turn the MOSFET on during a short circuit condition, comprising: (i) a potential divider coupled between the gate of the IGBT and the gate of the MOSFET; and (iii) a diode coupled between the potential divider and the collector of the IGBT0 the diode being oriented so as to be rendered non-conductive during a short circuit condition when the voltage at the collector of the IGBT rises, resulting in an increased voltage at the gate of the MOSFET as current is prevented from passing through the diode and is diverted to the potential divider.

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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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