[특허]Method for forming a via contact hole of a semiconductor device

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B44C-001/22 C03C-015/00 C23F-001/02
출원번호	US-0038155 (1993-03-26)
우선권정보	KR-0005309 (1992-03-31)
발명자 / 주소	Park Sung-Kil (Kyoungki KRX) Kim Dong-Sauk (Seoul KRX) Yoon Yong-Hyeock (Seoul KRX)
출원인 / 주소	Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. (Kyoungki KRX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

In the formation of a via contact hole of a semiconductor device, a polymer layer on the sidewall of a photoresist layer and via contact hole is effectively removed and the short of the via contact hole does not occur. For achieving such purpose, a wafer is cleaned in deionized water being added with CO2 gas during the process used for forming the via contact hole, and a protecting film (Al2O3) is formed on a metal layer. Thereafter, since the polymer layer and a part of the photoresist layer is removed, the metal layer is not eroded and the polymer layer is completely removed.

대표청구항 ▼

A method of forming a via contact hole of a semiconductor device comprising the steps of: forming a metal layer on a wafer; forming a SiO2 layer on said metal layer; forming a photoresist pattern after a photoresist layer is coated on said SiO2 layer; forming a via contact hole by an etching process employing said photoresist pattern as a mask; cleaning the wafer in deionized water being added with CO2 gas after said etching process is completed, thereby forming a protecting film on the bottom of said via contact hole; removing a polymer layer on the sidewall of said via contact hole and a part of said photoresist layer on said SiO2 layer by using a stripper solution after the process of cleaning said wafer in said deionized water is completed; and removing the residual of said photoresist layer on said SiO2 layer.

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A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
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