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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0998765 (1992-12-30) |
우선권정보 | JP-0262161 (1989-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 0 |
A crystal growth method for applying a crystallization treatment onto an amorphous film which includes injecting ions of the constituent material of the film into the film applied with the crystallization treatment provided with a mask to form a first region and a second region made amorphous by the
A method for producing film having large size crystal grains with a narrow grain size distribution, said method comprising the steps of: providing an amorphous film of a crystallizable material on a surface of a substrate; converting said amorphous film to a polycrystalline film by applying heat at
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