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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0247195 (1994-05-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 126 인용 특허 : 0 |
This invention provides a process for making a semiconductor device with reduced capacitance between adjacent conductors. This process can include applying a solution between conductors 24, and then gelling, surface modifying, and drying the solution to form an extremely porous dielectric layer 28.
A method of forming a porous dielectric on a semiconductor device comprising: (a) providing a first conductor and a horizontally adjacent second conductor, formed on a substrate wherein a gap is formed between said first and said second conductors; (b) providing a solution capable of forming a wet g
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