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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0206847 (1994-03-07) |
우선권정보 | FR-0002802 (1993-03-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 0 |
A process for producing disilane from monosilane comprising introducing monosilane into a reaction zone in which the monosilane is subjected to an electric discharge generated by a high frequency current. The monosilane is mixed with at least one inert gas selected from the group consisting of heliu
A process for producing disilane from monosilane comprising: introducing a gaseous mixture comprising monosilane and at least one inert gas selected from the group consisting of helium and argon into a reaction zone, subjecting said gaseous mixture to an electric discharge, the gaseous mixture in th
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