검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
---|---|---|
() | 우선순위가 가장 높은 연산자 | 예1) (나노 (기계 | machine)) |
공백 | 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실 |
| | 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (줄기세포 | 면역) 예2) 줄기세포 | 장영실 |
! | NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 | 예1) (황금 !백금) 예2) !image |
* | 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 | 예) semi* |
"" | 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 | 예) "Transform and Quantization" |
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/0236 H01L-031/109 |
미국특허분류(USC) | 257/21 ; 257/184 ; 257/436 ; 257/432 |
출원번호 | US-0297344 (1994-08-25) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 0 |
A quantum grid infrared photodetector (QGIP) includes a semiconductor substrate with a quantum well infrared photodetector (QWIP) mounted thereon. The QWIP includes a lower contact layer formed on a planar surface of the substrate and a stack of alternate planar barrier layers and planar well layers sandwiched between the lower contact layer and an upper contact layer. The planes of the barrier layers and well layers are substantially parallel to the plane of the planar surface. A plurality of single-slit diffraction units are arranged as a grid in the s...
An infrared photodetector comprising: a transparent semiconductor substrate having a planar surface; a quantum well infrared photodetector optically coupled to said substrate, said quantum well infrared photodetector having a stack of alternate planar barrier layers and planar well layers, said stack having a diffraction means formed therein such that the diffraction means has at least one cavity that extends through said stack, wherein said cavity diffracts incident infrared radiation into a continuum of radiation components directed toward said well la...