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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0291427 (1994-08-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 0 |
A layout is provided for RF power transistors that reduces common lead inductance and its associated performance penalties. An RF transistor cell is rotated 90°with respect to a conventional RF transistor cell so as to located bond pads nearer the edge of a silicon die, reducing bond wire length and
An RF power transistor comprising: a silicon die; a pair of interdigitated electrodes formed on the silicon die, each electrode having a multiplicity of parallel electrode fingers and each including at least one bond pad; regions of a first type of diffusion formed beneath electrode fingers of one e
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