$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

[미국특허] Layout for radio frequency power transistors 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-027/095
  • H01L-023/58
출원번호 US-0291427 (1994-08-16)
발명자 / 주소
  • Johansson Ted (Hagersten CA SEX) Leighton Larry (Santa Cruz CA) Hamberg Ivar (Stockholm SEX)
출원인 / 주소
  • Telefonaktiebolaget L M Erricsson (Stockholm SEX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 16  인용 특허 : 0

초록

A layout is provided for RF power transistors that reduces common lead inductance and its associated performance penalties. An RF transistor cell is rotated 90°with respect to a conventional RF transistor cell so as to located bond pads nearer the edge of a silicon die, reducing bond wire length and

대표청구항

An RF power transistor comprising: a silicon die; a pair of interdigitated electrodes formed on the silicon die, each electrode having a multiplicity of parallel electrode fingers and each including at least one bond pad; regions of a first type of diffusion formed beneath electrode fingers of one e

이 특허를 인용한 특허 (16) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Johansson Ted,SEX ; Arnborg Bengt Torkel,SEX, Bipolar power transistors and manufacturing method.
  2. Choi, Kang Rim, Electrically isolated power semiconductor package.
  3. Choi, Kang Rim, High frequency power device with a plastic molded package and direct bonded substrate.
  4. Brennan,John M.; Farrell,Donald; Freund,Joseph Michael, Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds.
  5. Brennan,John M.; Farrell,Donald; Freund,Joseph Michael, Integrated circuit with substantially perpendicular wire bonds.
  6. Johansson Ted,SEX ; Leighton Larry Clifford, Method for manufacturing vertical bipolar transistor having a field shield between an interconnecting layer and the field oxide.
  7. Choi, Kang Rim, Power device with a plastic molded package and direct bonded substrate.
  8. Hebert Francois ; McCalpin William, RF power transistor having improved stability and gain.
  9. Hebert Francois ; McCalpin William, RF power transistor having improved stability and gain.
  10. Baliga, Bantval Jayant, Radio frequency (RF) power devices having faraday shield layers therein.
  11. Chik Patrick Yue ; Masoud Zargari ; David Su, Rf integrated circuit layout.
  12. Perugupalli, Prasanth; Lopuch, Stan; Dixit, Nagaraj V., Semiconductor power device and RF signal amplifier.
  13. O'Keefe Matthew Francis, Separation of thermal and electrical paths in flip chip ballasted power heterojunction bipolar transistors.
  14. Leighton Larry ; Johansson Ted,SEX ; Skoglund Bertil,SEX, Thermally balanced radio frequency power transistor.
  15. Larimer William R., Transistor package structured to provide heat dissipation enabling use of silicon carbide transistors and other high po.
  16. Johansson Ted,SEX ; Leighton Larry Clifford, Vertical bipolar transistor having a field shield between the metallic interconnecting layer and the insulation oxide.

활용도 분석정보

상세보기
다운로드
내보내기

활용도 Top5 특허

해당 특허가 속한 카테고리에서 활용도가 높은 상위 5개 콘텐츠를 보여줍니다.
더보기 버튼을 클릭하시면 더 많은 관련자료를 살펴볼 수 있습니다.

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로