최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0303638 (1994-09-09) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 139 인용 특허 : 0 |
An improved ultrasonic transducer fabricated on a silicon base has a piezoelectric layer of polyvinylidene fluoride-trfluroethylene copolymer. The piezoelectric layer is sandwiched between two conductive electrodes, all of which are supported on a dielectric layer on top of the silicon base. At leas
A wide bandwidth ultrasonic transducer capable of both transmitting and receiving signals, comprising: a semiconductor base having a first layer which is heavily doped, a second layer which is lightly doped, and a void formed therein; a dielectric layer disposed on said first layer of said semicondu
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.