[특허]Method of etching WSix <B>films

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IPC분류정보

국가/구분 United States(US) Patent 등록

국제특허분류(IPC7판)

H01L-021/00

출원번호 US-0242230 (1994-05-13)

발명자 / 주소

Keller David J. (Boise ID)

출원인 / 주소

Micron Semiconductor, Inc. (Boise ID 02)

인용정보 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 0

초록 ▼

The present invention teaches a method for etching a tungsten silicide (WSix) film overlying a polysilicon film in an enclosed chamber during a semiconductor fabrication process, by the steps of: providing a patterned mask overlying the WSix film thereby providing exposed portions of the WSix film;

The present invention teaches a method for etching a tungsten silicide (WSix) film overlying a polysilicon film in an enclosed chamber during a semiconductor fabrication process, by the steps of: providing a patterned mask overlying the WSix film thereby providing exposed portions of the WSix film; presenting an etchant chemistry comprising NF3 and HeO2 to the exposed portions of the WSix film at a temperature ranging from -20°C. to 100°C., thereby etching away the exposed portions of the WSix film and simultaneously etching substantially vertical sidewalls in the WSix film, the etching continues into the polysilicon film, thereby forming a WSix/polysilicon stack having substantially vertical sidewalls.

대표청구항 ▼

A method for etching a tungsten silicide (WSix) film in an enclosed chamber during a semiconductor fabrication process, said method comprising the steps of: providing a patterned mask overlying said WSix film thereby providing exposed portions of said WSix film; presenting an etchant chemistry compr

A method for etching a tungsten silicide (WSix) film in an enclosed chamber during a semiconductor fabrication process, said method comprising the steps of: providing a patterned mask overlying said WSix film thereby providing exposed portions of said WSix film; presenting an etchant chemistry comprising NF3 and HeO2 to said exposed portions of the WSix film at a temperature ranging from -20°C. to 100°C., thereby etching away said exposed portions of said WSix film and simultaneously etching substantially vertical sidewalls in said WSix film.

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A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
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