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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0245997 (1994-05-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0 |
Fabrication methods and resultant semiconductor structures wherein stack structures are selectively insulated from an enveloping layer of local interconnect material. The fabrication methods involve forming an overpass insulator(s) simultaneously with the underlying gate. Specifically, a layer of no
A method for fabricating a semiconductor structure, said method comprising the steps of: (a) damascening a first mask of electrically insulative material into an electrically conductive material; (b) forming a second mask above said electrically conductive material; (c) using both said first mask an
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