[특허]Method for epitaxially growing <font face"Symbol">a</font)-silicon carbide on a-axis <font face"Symbol">a</font)-silicon

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Method for epitaxially growing aa 원문보기

IPC분류정보

국가/구분 United States(US) Patent 등록

국제특허분류(IPC7판)

C30B-025/20

H01L-021/205

출원번호 US-0138564 (1993-10-18)

발명자 / 주소

Burk

Jr. Albert A. (Murrysville PA) Barrett Donovan L. (Penn Hills Township

Allegheny County PA) Hobgood Hudson M. (Murrysville PA) Clarke Rowland C. (Bell Township

Westmoreland County PA) Eldr

출원인 / 주소

Westinghouse Electric Corporation (Pittsburgh PA 02)

인용정보 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for epitaxially growing a-axis a
A method for epitaxially growing a-axis a
대표청구항 ▼

A method for epitaxially growing SiC on a substrate comprising the steps of: a. providing an a
A method for epitaxially growing SiC on a substrate comprising the steps of: a. providing an a

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Nagasawa, Hiroyuki; Yagi, Kuniaki; Kawahara, Takamitsu, Compound crystal and method of manufacturing same.
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Nagasawa,Hiroyuki; Yagi,Kuniaki; Kawahara,Takamitsu, Compound crystal and method of manufacturing same.
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Zupanick Joseph A., Method for production of gas from a coal seam using intersecting well bores.
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Kitou Yasuo,JPX ; Sugiyama Naohiro,JPX ; Okamoto Atsuto,JPX ; Tani Toshihiko,JPX ; Kamiya Nobuo,JPX, Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method.
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Kito Yasuo,JPX ; Kotanshi Youichi,JPX ; Onda Shoichi,JPX ; Hanazawa Tatuyuki,JPX ; Kitaoka Eiji,JPX, Method of producing single-crystal silicon carbide.
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Philip G. Neudeck ; J. Anthony Powell, Methods for growth of relatively large step-free SiC crystal surfaces.
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Maruyama, Takayuki; Chiba, Toshimi, Process for manufacturing wafer of silicon carbide single crystal.
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Kawahara, Takamitsu; Nagasawa, Hiroyuki; Yagi, Kuniaki, Silicon carbide and method for producing the same.
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Yukitaka Nakano JP; Hiroyuki Nagasawa JP; Kuniaki Yagi JP; Takamitsu Kawahara JP, Silicon carbide film and method for manufacturing the same.
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IPC 상위 출원인

FUJITSU LTD (1,916)

CANON INC (1,820)

NEC CORP (1,816)

HITACHI LTD (1,807)

TOSHIBA CORP (1,503)

IPC 상세정보(version : 8)

특허정보

IPC Description

A 생활필수품

A62 인명구조; 소방(사다리 E06C)

A62B 인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)

A62B-1/08 .. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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기본정보

상세정보

관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC

관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents

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국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-025/20 H01L-021/205
출원번호	US-0138564 (1993-10-18)
발명자 / 주소	Burk Jr. Albert A. (Murrysville PA) Barrett Donovan L. (Penn Hills Township Allegheny County PA) Hobgood Hudson M. (Murrysville PA) Clarke Rowland C. (Bell Township Westmoreland County PA) Eldr
출원인 / 주소	Westinghouse Electric Corporation (Pittsburgh PA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 0

IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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