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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0370999 (1995-01-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
This invention constitutes a process for fabricating a structure which, when incorporated in an integrated circuit, will reduce current leakage into the substrate from transistor source/drain regions. The structure is particularly useful in dynamic random access memories, as it will minimize the eff
A method for manufacturing a dynamic random access memory cell on a silicon substrate, said method comprising the following steps: (a) forming an access transistor gate electrode on an upper surface of the substrate, said gate electrode having an upper surface and sidewalls; (b) forming source/drain
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