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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0294020 (1994-08-23) |
우선권정보 | JP-0011645 (1992-01-27); JP-0011651 (1992-01-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A frequency doubler comprising periodic domain-inverted regions, in which a nonlinear degradation layer is formed on the surface of a waveguide, whereby the TM00 mode of the fundamental wave is converted into the TM10 mode of the high harmonic wave so as to reduce the effects of optical damage in or
A short wave laser source comprising a semiconductor laser and a frequency doubler, said frequency doubler including a nonlinear crystal substrate having formed therein (a) periodic domain inverted regions having a first nonlinear coefficient, (b) a nonlinear degradation layer having a second nonlin
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