[특허]Power supply polarity reversal protection circuit

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H02H-003/18
출원번호	US-0155941 (1993-11-19)
발명자 / 주소	Kopera Jr. Joseph J. (Trenton MI) Wand Thomas J. (Canton MI)
출원인 / 주소	Chrysler Corporation (Auburn Hills MI 02)
인용정보	피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 0

초록 ▼

A power supply polarity reversal protection device includes a voltage controlled switching device, e.g. an N-channel MOSFET connected between the power supply output (e.g. a positive supply voltage) and the circuit to be powered by the supply, i.e. the load. A diode, preferably the parasitic diode inherent in the MOSFET between the drain and source, is arranged so that when the positive supply terminal is connected to the transistor, the diode is forward biased and will allow a diode current to flow. A sensing means generates a control terminal voltage in response to the diode current flow. This control terminal voltage is applied to the switching means control gate and is sufficient to cause full conduction through the switching means. If, instead, a negative supply voltage is connected to the transistor, the diode will be reverse biased and no current will flow. Since there is no diode current, the sensing means will not generate a control terminal voltage and the switching means will not turn on, thus protecting the load.

대표청구항 ▼

A power supply polarity reversal protection device comprising: a voltage controlled semiconductor transistor switching device having a source and a drain connected between a power supply and a load and a gate for rendering said switching device conductive to supply a load current to the load from the power supply in response to a gating control voltage signal, said transistor also having an intrinsic diode connected between the power supply and load, for conducting current only when the polarity of the power supply relative to the load is correct and inhibiting conduction when the power supply polarity is not correct, and sensor means for detecting current flowing from the power supply through said intrinsic diode and generating the gating control voltage signal at an output in response thereto, said sensor means generated gating control voltage signal being applied to said switching device gate to operate said switching device to be conductive to conduct the load current therethrough between the power supply and the load.

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