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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0076691 (1993-06-15) |
우선권정보 | JP-0329440 (1990-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 0 |
A method of forming a thin film by a bias sputtering method using a first target made of a refractory metal mainly composed of W and a second target made of a conductive material mainly composed of a low-melting-point metal which comprises, upon sputtering the first target made of the refractory met
A method of forming a thin film, made of a refractory metal including at least Ti or W, by a bias sputtering method, using a target comprised of the refractory metal, comprising the steps of: introducing a sputtering gas into a film-forming chamber; positioning a substrate, on which the thin film is
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