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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0315430 (1994-09-30) |
우선권정보 | DE-4333406 (1993-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 0 |
A method for manufacturing high-efficiency solar cells from polycrystalline or monocrystalline semiconductor material is disclosed. Backside contacts are printed on with a metal-containing paste and front side contacts are deposited finely-structured photo-induced. To that end, a nickel layer is dep
Method for manufacturing a solar cell having a silicon substrate selected from a group consisting of monocrystalline and polycrystalline silicon, said substrate having a front side and a backside, said method comprising the steps of: forming a pn-junction in said front side of said silicon substrate
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