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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0331733 (1994-10-31) |
우선권정보 | JP-0062854 (1992-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 58 인용 특허 : 0 |
A silicon substrate comprises at least two surfaces extending substantially along respective crystal faces of (111) crystal orientation of the silicon, the crystal faces of (111) crystal orientation crossing with each other, an electrically insulating layer formed by oxidizing the silicon substrate
A method for producing a quantum portion of a silicon substrate insulated electrically from an outside of the silicon substrate, said method comprising: etching the silicon substrate to form at least two surfaces of the silicon substrate extending substantially along respective crystal faces of (111
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