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특허 상세정보

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Non-destructive measuring sensor for semiconductor wafer and method of manufacturing the same

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01R-031/308   
미국특허분류(USC) 324/753 ; 324/96 ; 324/117 ; B
출원번호 US-0171026 (1993-12-21)
우선권정보 JP-0357145 (1992-12-22)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 12
초록
▼

The present invention provides a novel sensor preferably used for non-destructive measurement of the electrical characteristics of semiconductors. The sensor is easily manufactured and has a sufficiently high dielectric breakdown strength. The sensor includes an electrode mount 64 having a an electrode pattern 200 formed on a bottom surface 66a of a cone glass 66. The bottom surface 66a has a reflecting plane 66c for reflecting a laser beam, a test electrode 201, and three parallelism adjustor electrodes 111 through 113 formed around the reflecting plane...

대표
청구항
▼

A sensor for use in non-destructive measurement of electrical characteristics of a semiconductor wafer, comprising: a transparent member having a first flat surface and a second flat surface substantially parallel with each other, said first flat surface adapted to be spaced substantially parallel from a surface of the semiconductor wafer, said first flat surface having a reflecting plane to reflect a light beam introduced into said transparent member under geometric optical total reflection conditions, said geometric optical total reflection conditions ...

이 특허에 인용된 특허 (12)

  1. Gidon Pierre (Echirolles FRX) Lizet Jacques (Grenoble FRX) Valette Serge (Grenoble FRX). Displacement transducer in integrated optics. USP1989094865453.
  2. Hickel Werner (Mannheim DEX) Knoll Wolfgang (Mainz DEX) Rothenhaeusler Benno (Burgberg DEX). Examination of surface structure. USP1991075028132.
  3. Sakai Takamasa (Kyoto JPX) Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Hirae Sadao (Kyoto JPX) Nakatani Ikuyoshi (Kyoto JPX). Gap measuring device and method using frustrated internal reflection. USP1993075225690.
  4. Sato Hidemi (Yokohama JPX) Hira Yasuo (Yokohama JPX) Fukushima Atsuko (Yokohama JPX) Asao Hiroshi (Yokohama JPX) Kawamoto Kazumi (Yokohama JPX) Ito Kenchi (Yokohama JPX) Funatsu Ryuichi (Yokohama JPX. Method and apparatus for measuring optical constants of a thin film as well as method and apparatus for fabricating a th. USP1992065125740.
  5. Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Nakatani Ikuyoshi (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX). Method of and apparatus for measuring electric characteristics of semiconductor wafer. USP1993085233291.
  6. Fromm Ingrid (Munich DEX). Optical device for measuring slight differences of pressure by means of a change in light intensity. USP1982044322979.
  7. Kouno Motohiro (Kyoto JPX) Nakatani Ikuyoshi (Kyoto JPX) Sakai Takamasa (Kyoto JPX) Hirae Sadao (Kyoto JPX). Optical gap measuring device using frustrated internal reflection. USP1993085239183.
  8. Guerra John M. (Concord MA) Plummer William T. (Concord MA). Optical proximity imaging method and apparatus. USP1987074681451.
  9. Cielo Paolo G. (Montreal CAX). Optical system for analyzing the surface of a fibrous web. USP1984124490618.
  10. Aoshima Shinichiro (Shizuoka JPX) Tsuchiya Yutaka (Shizuoka JPX). Voltage detector employing electro-optic material having a corner-cube shape. USP1989094864222.
  11. Aoshima Shinichiro (Shizuoka JPX) Tsuchiya Yutaka (Shizuoka JPX) Takahashi Hironori (Shizuoka JPX). Voltage detector having compensation for polarization change caused by spontaneous birefringence. USP1989094866372.
  12. Takahashi Hironori (Shizuoka JPX) Aoshima Shinichiro (Shizuoka JPX) Tsuchiya Yutaka (Shizuoka JPX). Voltage measuring apparatus. USP1991014982151.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 8

  1. Ohminami, Nobuyuki. Apparatus and method for analyzing capacitance of insulator. USP2005126975102.
  2. Howland, William H.. Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer. USP2005056894519.
  3. Howland, William H.; Mazur, Robert G.. Apparatus and method for measuring semiconductor wafer electrical properties. USP2005126972582.
  4. Mead, Carver A.. Color separation prisms having solid-state imagers mounted thereon and camera employing same. USP2003096614478.
  5. Matsumoto, Kenji; Mihara, Yuji. Distance sensor and measurement method. USP2018029891035.
  6. Cheprasov Sergei ; Grosslight Gordon J.. Manufacture of thin-film magnetic heads. USP2000046045431.
  7. Torek Kevin J.. Method of making an oxide structure having a finely calibrated thickness. USP2000116150277.
  8. Kevin J. Torek. Oxide structure having a finely calibrated thickness. USP2002026350547.

IPC 상위 출원인