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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0397417 (1995-03-01) |
우선권정보 | JP-0033985 (1994-03-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
For stabilized overcurrent protection, an insulated-gate type bipolar transistor (IGBT) is provided with an overcurrent limiting feature having reduced dependence of the limited-current value on the power supply voltage. Sensing cells 9 for current detection are formed on part of a semiconductor sub
An insulated-gate type bipolar transistor comprising: a plurality of main cells formed integratedly on a semiconductor substrate, the main cells having emitter electrodes; and a plurality of sensing cells formed on the semiconductor substrate and adjoining at least one of the main cells, the sensing
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