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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0457551 (1995-06-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 3 |
Differences in thermal expansion properties between integrated circuit chips, especially of gallium arsenide, and the dielectric substrates (especially diamond and aluminum nitride) on which said chips are mounted are accommodating by interposing between the substrate and the chip a mixed metal laye
An electronic structure comprising: a substrate comprising a dielectric material with a metallizable surface; a mixed metal layer having a thickness of at least about 5 microns deposited over said substrate, said mixed metal layer comprising at least one ductile, thermally conductive metal having a
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