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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0550459 (1995-10-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 13 |
An improved method of fabricating a phase shifting mask suitable for semiconductor manufacture includes the steps of identifying phase conflict areas in a desired mask pattern and forming phase shift bands in the phase conflict areas. Phase conflict areas occur in transparent areas of the mask patte
A phase shifting mask comprising: a transparent substrate; a pattern of transparent areas formed by an opaque layer formed on the substrate with a pattern of openings; a pattern of connecting transparent areas which connect adjacent transparent areas occurring in phase conflict areas; and a first pa
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