[특허]Semiconductor integrated circuit with layer for isolating elements in substrate

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Semiconductor integrated circuit with layer for isolating elements in substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/00
출원번호	US-0322374 (1994-10-13)
발명자 / 주소	Fujii Nobuo (Yokohama JPX) Mizukawa Yosuke (Nagaokakyo JPX) Mitsuhashi Yasuo (Nagaokakyo JPX)
출원인 / 주소	Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 4

초록 ▼

By reverse biasing the PN junction formed around a semiconductor element, the semiconductor element is isolated from other elements. The PN junction around the semiconductor element is a junction between a layer surrounding the semiconductor element and a layer disposed outside the layer. Jointly with the layer constituting the semiconductor, the layer surrounding the semiconductor element forms a parasitic diode. The potential of the layer on the semiconductor element to be connected to the layer surrounding the semiconductor element is detected, and based on this potential, the voltage to be applied to the parasitic diode is controlled so as to be constant. When the voltage to be applied to the parasitic diode is lower than a threshold, the parasitic diode will be in a cutoff state.

대표청구항 ▼

An electronic circuit comprising: (a) a transistor around which a PN junction is formed; (b) means for reverse biasing the PN junction around said transistor to isolate said transistor from other elements; and (c) means for keeping a parasitic diode, located between a layer constituting the PN junct

이 특허에 인용된 특허 (4)

Zuffada Maurizio (Milan ITX) Sacchi Fabrizio (Gambarana ITX) Ferrari Paolo (Gallarate ITX), Device for minimizing parasitic junction capacitances in an insulated collector vertical P-N-P transistor.
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Husher John (Los Altos Hills CA), Integrated PNP power bipolar transistor with low injection into substrate.
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Agiman Dan (Lewisville TX), Prevention of parasitic mechanisms in junction isolated devices.
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Siligoni Marco (Vittuone ITX) Villa Flavio (Milan ITX), Vertical isolated-collector transistor of the pnp type incorporating a device for suppressing the effects of parasitic j.
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이 특허를 인용한 특허 (7)

Pendharkar Sameer P. ; Efland Taylor R., Integrated circuit which minimizes parasitic action in a switching transistor pair.
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Hutter Louis N. ; Smith Jeffrey P., Isolated vertical PNP transistor and methods for making same in a digital BiCMOS process.
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Neumann, Eric; Lovinsky, Eleanor; Piazza, David; Camello, Anthony, Product display system with adjustable bracket.
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Yamashita Yasunori,JPX ; Terashima Tomohide,JPX ; Yamamoto Fumitoshi,JPX, Semiconductor device containing a diode.
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Tsurumi Keiichi,JPX, Semiconductor switch driving circuit.
상세보기
Ferianz, Thomas, Tracking circuit.
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Lin, Xin; Blomberg, Daniel J.; Zuo, Jiang-Kai, Zener diode with reduced substrate current.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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