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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0350114 (1994-11-29) |
우선권정보 | JP-0339397 (1993-12-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 205 인용 특허 : 8 |
A method for manufacturing a semiconductor device having a crystalline silicon semiconductor layer comprises the steps of heat crystallizing an amorphous silicon semiconductor layer at a relatively low temperature because of the use of a crystallization promoting material such as Ni, Pd, Pt, Cu, Ag,
A method for manufacturing a semiconductor device on a substrate comprising the steps of: disposing in contact with a semiconductor layer comprising silicon a precursor material for forming silicon oxide, wherein the precursor material includes a metal or a metal compound capable of promoting a crys
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