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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0503760 (1995-07-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 3 |
Performance degradation resulting from hot carrier stress is determined using a special test circuit. The test circuit is formed using a string of inverters on an integrated circuit. The string of inverters is connected in series. Every other inverter in the string of inverters uses cascaded transis
A method for determining performance degradation of an inverter resulting from hot carrier stress, the method comprising the following steps: (a) forming a string of inverters on an integrated circuit, the string of inverters being connected in series, comprising the following substep (a.1) construc
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