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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0307605 (1994-09-20) |
우선권정보 | DE-4209170 (1992-03-20) |
국제출원번호 | PCT/DE93/00223 (1993-03-10) |
§371/§102 date | 19940920 (19940920) |
국제공개번호 | WO-9319492 (1993-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 4 |
A process for producing front and rear contacts on a solar cell provides for producing a channel structure on the passivation layer of a silicon wafer, producing a rear contact by printing and firing a silver paste that has an aluminum dopant, treating the wafer with a palladium solution containing
A process for producing front and rear side contacts on a solar cell including a silicon wafer having a flat p/n transition and a passivation layer on a front side which comprises the steps of: producing a channel structure in the passivation layer; producing a rear side contact by printing on and f
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