[특허]Gamma ray camera

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G01T-001/164 G01T-001/202
출원번호	US-0231149 (1994-04-22)
발명자 / 주소	Perez-Mendez Victor (Berkeley CA)
출원인 / 주소	The Regents, University of California (Oakland CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 11

초록 ▼

A gamma ray camera for detecting rays emanating from a radiation source such as an isotope. The gamma ray camera includes a sensor array formed of a visible light crystal for converting incident gamma rays to a plurality of corresponding visible light photons, and a photosensor array responsive to the visible light photons in order to form an electronic image of the radiation therefrom. The photosensor array is adapted to record an integrated amount of charge proportional to the incident gamma rays closest to it, and includes a transparent metallic layer, photodiode consisting of a p-i-n structure formed on one side of the transparent metallic layer, and comprising an upper p-type layer, an intermediate layer and a lower n-type layer. In the preferred mode, the scintillator crystal is composed essentially of a cesium iodide (CsI) crystal preferably doped with a predetermined amount impurity, and the p-type upper intermediate layers and said n-type layer are essentially composed of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The gamma ray camera further includes a collimator interposed between the radiation source and the sensor array, and a readout circuit formed on one side of the photosensor array.

대표청구항 ▼

A gamma ray camera for detecting rays emanating from a radiation source, the gamma ray camera comprising in combination: (a) a scintillator crystal for converting incident gamma rays to a plurality of corresponding scintillation photons, and including a scintillation layer; and (b) a photosensor array disposed in direct contact with one side of said scintillator crystal, and responsive to the scintillation photons in order to form an electronic pattern of the incident gamma rays by recording an integrated amount of charge proportional to the incident gamma rays, without counting individual gamma rays, said photosensor array including: (i) a transparent metallic layer; and (ii) a p-i-n structure formed on one side of said transparent metallic layer, having a sandwich-type configuration, and comprising an upper p-type layer, an intermediate intrinsic layer and a lower n-type layer; (c) a collimator interposed between the radiation source and said scintillation crystal; and (d) a readout circuit formed on one side of said lower n-type layer.

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Street Robert A. (Palo Alto CA) Kaplan Selig N. (El Cerrito CA) Perez-Mendez Victor (Berkeley CA), High resolution amorphous silicon radiation detectors.
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Iinuma Kazuhiro (Tochigi JPX), Radiation imaging apparatus.
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IPC	Description
A	생활필수품
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A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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