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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0542354 (1995-10-12) |
우선권정보 | JP-0281409 (1994-10-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 198 인용 특허 : 0 |
Method of fabricating edgeless staggered type thin-film transistors (TFTs) substantially without producing steps on gate electrodes. This method is effective in reducing parasitic capacitance and isolating transistors from each other. A catalyst element such as nickel is added to regions correspondi
A semiconductor device comprising: source and drain semiconductor regions comprising silicon and having a first conductivity type; a semiconductor film comprising silicon and having a second conductivity type different from said first conductivity type, said semiconductor film having a first portion
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