최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0377603 (1995-01-25) |
우선권정보 | IL-0108589 (1994-02-08) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 9 |
A method for producing a photodiode with a simplified planar device architecture based on a single layer of HgCdTe using a mature, established growth technology for the sensing material, combined with an implanted homojunction which is at least partially activated during MOCVD CdTe passivation. The
A planar photodiode device responsive to infrared radiation, said device comprising: an n-type HgCdTe single layer with a predetermined composition and predetermined electrical properties for sensing infrared radiation; an arsenic-rich layer implanted on a portion of said n-type HgCdTe single layer;
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.