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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0415646 (1995-04-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 0 |
A method of forming boron-doped diamond film by, chemical vapor deposition (CVD) utilizing two-component system reactant gas doped with trimethyl borate.
A method of fabricating boron doped diamond film on a substrate, comprising the following steps: (a) providing a two-component system reactant gas, wherein the two-component system reactant gas is a gas selected from the group consisting of CxHy-CO2,and CxHyOz-CO2, and said gas is doped with trimeth
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