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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0582503 (1996-01-03) |
우선권정보 | JP-0220592 (1993-08-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 232 인용 특허 : 5 |
A highly reliable thin-film transistor (TFT) having excellent characteristics. A silicon film is grown laterally by adding a metal element such as nickel to promote crystallization. A crystal grain boundary is formed parallel to a gate electrode and around the center of the gate electrode. Thus, the
A method of fabricating a semiconductor device, comprising the steps of: forming an amorphous silicon film; introducing a metal element into at least two locations in said amorphous silicon film, said metal element acting to promote crystallization of said silicon film; annealing said amorphous sili
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