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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0252986 (1994-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
The light receiving or back-side surface (22) of an indium antimonide (InSb) photodetector device (10) substrate (12) is cleaned to remove all native oxides of indium and antimony therefrom. A passivation layer (26) is then formed on the surface (22) of a material such as silicon dioxide, silicon su
A broadband photodetector device capable of detecting infrared (IR), visible and near-ultraviolet (UV) radiation, comprising: an InSb substrate having a light receiving surface; a Si3N4 passivation layer formed on said light receiving surface which does not react with the substrate to form a structu
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