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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0436489 (1995-05-08) |
우선권정보 | SE-0000013 (1995-01-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 12 |
A semiconductor device comprises at least one semiconductor layer (1-3) of SiC and a layer (6) applied on at least a portion of an edge surface (19) of said SiC-layer so as to passivate this edge surface portion. At least the portion of said passivation layer closest to said edge surface portion of
A semiconductor device comprising at least one semiconductor layer (1-3) of SiC having an edge surface (19) and a passivation layer (6) applied on at least a portion of said edge surface (19) of said SiC-layer and terminating said edge surface of said SiC layer thereby electrically isolating it from
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