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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0479212 (1995-06-07) |
우선권정보 | JP-0339399 (1993-12-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 221 인용 특허 : 0 |
In a method for crystallizing an amorphous silicon film by a heat treatment that is effected for a duration of about 4 hours at about 550°C. using a catalyst element for accelerating the crystallization, the quantity of the catalyst element to be introduced into the amorphous silicon is precisely co
A method for fabricating a semiconductor device, comprising: forming a mask on a surface of an amorphous silicon film using a resist; maintaining a compound containing a catalyst element which accelerates crystallization in contact with an exposed portion of the amorphous silicon film; removing the
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