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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0487166 (1995-06-07) |
우선권정보 | JP-0156647 (1994-06-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 220 인용 특허 : 0 |
An amorphous semiconductor film having a thickness of 400Åor more is formed on an insulating surface and is wholly or selectively etched to form a region having a thickness 300Åor less. This is used as a channel-forming region in a TFT.
A thin film transistor having a maximum value of electric field effect mobility of 50 cm2/Vs or more and comprising an active layer of thin fill semiconductor which is present on an insulating surface, and a marker for aligning a mask comprising the same semiconductor with said active layer and prov
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