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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0280461 (1994-07-26) |
우선권정보 | JP-0204773 (1993-07-27); JP-0235463 (1993-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 291 인용 특허 : 7 |
A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a semiconductor film on a substrate, oxidizing a surface of said semiconductor film in an oxidizing atmosphere with said semiconductor film heated or irradiated with light, and further depositing an oxide film on the ox
A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: forming a semiconductor film on a substrate having an insulating surface; oxidizing a surface of said semiconductor film to form an oxide film by irradiating said surface with light having a wavelength of 0.5 m4 m
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