[특허]Apparatus for growing silicon carbide crystals

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Apparatus for growing silicon carbide crystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-014/00 C30B-027/36
출원번호	US-0769090 (1996-12-18)
발명자 / 주소	Glass Robert C. (Chapel Hill NC) Gaida Walter E. (East Pittsburgh PA) Ronallo Ronald R. (Pittsburgh PA) Hobgood Hudson McDonald (Murrysville PA)
출원인 / 주소	Northrop Gruman Corporation (Los Angeles CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 2

초록

A silicon carbide growth container for placement into a crystal growing furnace. The growth container has a liner of pyrolytic graphite which seals the inside of the container and allows for easy removal of the grown silicon carbide crystal.

대표청구항 ▼

Apparatus for use in the growth of silicon carbide crystals, comprising: (a) a crystal growth container for placement in a crystal growing furnace; (b) said container having a crystal growing cavity which extends along a longitudinal axis; and (c) a thermally anisotropic liner disposed within said c

이 특허에 인용된 특허 (2)

Furukawa Katsuki (Sakai JPX) Tajima Yoshimitsu (Nara JPX) Suzuki Akira (Nara JPX), Method of producing silicon-carbide single crystals by sublimation recrystallization process using a seed crystal.
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Takahaski Jun (Sagamihara JPX) Kanaya Masatoshi (Sagamihara JPX), Sublimation growth of single crystal SiC.
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이 특허를 인용한 특허 (17)

Snyder, David W.; Everson, William J., Axial gradient transport apparatus and process.
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Rengarajan, Varatharajan; Brouhard, Bryan K.; Nolan, Michael C.; Zwieback, Ilya, Axial gradient transport growth process and apparatus utilizing resistive heating.
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Harald Kuhn DE; Roland Rupp DE; Rene Stein DE; Johannes Volkl DE, Device and method for producing at least one SiC single crystal.
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Kuhn, Harald; Stein, Rene; Voelkl, Johannes, Device having a foil-lined crucible for the sublimation growth of an SiC single crystal.
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Zwieback, Ilya; Gupta, Avinash K.; Semenas, Edward; Anderson, Thomas E., Guided diameter SiC sublimation growth with multi-layer growth guide.
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Zwieback, Ilya; Anderson, Thomas E.; Gupta, Avinash K., Halosilane assisted PVT growth of SiC.
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Sumakeris,Joseph John; Paisley,Michael James, Housing assembly for an induction heating device including liner or susceptor coating.
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Snyder, David W.; Everson, William J., Large size single crystal seed crystal fabrication by intergrowth of tiled seed crystals.
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Zwieback, Ilya; Rengarajan, Varatharajan; Brouhard, Bryan K.; Nolan, Michael C.; Anderson, Thomas E., Method for silicon carbide crystal growth by reacting elemental silicon vapor with a porous carbon solid source material.
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Gupta, Avinash K.; Semenas, Edward; Zwieback, Ilya; Barrett, Donovan L.; Souzis, Andrew E., Method of and system for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities.
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Gupta, Avinash K.; Zwieback, Ilya; Chen, Jihong; Getkin, Marcus; Stepko, Walter R. M.; Semenas, Edward, Method of annealing a sublimation grown crystal.
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Sumakeris, Joseph John; Paisley, Michael James, Methods for controllably induction heating an article.
상세보기
Stephani Dietrich,DEX ; Volkl Johannes,DEX, Process and device for sublimation growing of silicon carbide monocrystals.
상세보기
Zwieback, Ilya; Anderson, Thomas E.; Gupta, Avinash K., Silicon carbide single crystals with low boron content.
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Zwieback, Ilya; Gupta, Avinash K., Silicon carbide with low nitrogen content and method for preparation.
상세보기
Gupta, Avinash K.; Semenas, Edward; Zwieback, Ilya; Barrett, Donovan L.; Souzis, Andrew E., System for forming SiC crystals having spatially uniform doping impurities.
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Zwieback, Ilya; Anderson, Thomas E.; Gupta, Avinash K.; Nolan, Michael C.; Brouhard, Bryan K.; Ruland, Gary E., Vanadium doped SiC single crystals and method thereof.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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