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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0637576 (1996-04-25) |
우선권정보 | JP-0127122 (1995-04-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 0 |
An apparatus for a vapor-phase epitaxial growth of a thin film on a substrate, which attains a decrease in the transition width, and at the same time, enables the thin film to be formed in a uniform thickness. This apparatus comprises a reaction vessel 18 of a flat shape, supply nozzles 15 for feedi
An apparatus for a vapor-phase epitaxial growth of a thin film comprising: a reaction vessel of a flat shape; gas supply means for feeding a source gas from a peripheral part of said reaction vessel; a susceptor for holding a semiconductor single crystal substrate(s) substantially horizontally; heat
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