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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0521019 (1995-08-30) |
우선권정보 | FR-0010499 (1994-08-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 8 |
An integrated circuit including a temperature threshold detector. This detector includes two MOS transistors with a same type of conductivity, circuitry for applying to the second transistor a gate-source voltage higher than the gate-source voltage of the first transistor by a value Vbe, VbE being t
An integrated circuit with temperature threshold detector, comprising two MOS transistors with a same type of conductivity, means for applying to the second transistor a gate-source voltage higher than the gate-source voltage of the first transistor by a value Vbe, Vbe being a drop in voltage at ter
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